超高真空装置用チタン材料の非ベーキング超低ガス放出化技術開発
研究代表者 |
栗巣 普揮 山口大学, 大学院理工学研究科, 助教授
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| 研究期間 (年度) |
2006
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| 概要 | 種々の電子デバイスの製造に使用される超高真空装置では、既に10-5 Paから10 6 Paの到達真空度(圧力)が必要となっている。デバイスのさらなる高集積化や微細化そして不揮発性磁気抵抗メモリ(MRAM)のような新デバイスの創製を実現するには、残留不純物ガス(例えば水(H2O)や酸素(O2))の混入を極限にまで抑制した10 8 Pa 以下の真空環境下においてナノメーターレベルの薄膜や積層膜の形成が必須となってきている。ところがデバイス製造用の超高真空装置は、生産効率の観点から真空ベーキングを施さないで使用される。すなわち、これらデバイス製造用超高真空装置には、非ベーキング下でも短時間で超高真空が得られるという真空の高度化が強く求められている。本試験研究では、これまでの申請者らの開発技術である低ガス放出なチタン材料による高性能真空技術をさらに高度化させて、これらの要求に応えた「非ベーキング下でも超低ガス放出となるチタン材料の化学研磨・改質技術」を開発することを目的とする。具体的な最終目標として、「非ベーキングで大気圧から10時間以内で10 -8Paの到達」を掲げる.
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