点欠陥自己組織化現象を利用した新しい微細構造形成法の開発

研究課題

研究代表者	谷脇雅文高知工科大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	2006
概要	1999 年申請者は低温でイオン注入した化合物半導体GaSb 表面上に特異な構造を観察した.微細なセルが蜂の巣のようにできる.セルの直径は50 nm,深さ250 nm,セルを隔てる壁の厚さは5-10 nm である.これは,原子空孔と格子間原子の移動によって自己組織化的に形成されることを明らかにした.本研究ではこれを利用して,まったく新しいナノテクノロジーを確立しようとするものである.すなわち,まず,半導体表面上に規則的な初期構造をつくり,これにイオン照射してナノセル構造を自在に作る.