低損傷レーザー加工技術の開発と半導体デバイス製造技術への応用

研究課題

研究代表者	池上浩高知工業高等専門学校, 電気工学科
研究期間 (年度)	2005
概要	本研究課題はULSIチップ分割技術に関し,特に,多層配線層とSi基板双方に損傷を与える事無く加工する技術を開発することを目的とする.本課題では,ビーム形状変換機構を備えた水中レーザー加工法を用いてULSIチップ分割に適した加工条件を見出す.さらに,低損傷金属薄膜除去の研究から得た知見や加工屑除去技術の知見を駆使し,実デバイスに対応する生産技術の確立を目指す.