高密度中性原子発生装置の開発と次世代半導体プロセスへの応用

研究課題

研究代表者	福田永室蘭工業大学, 工学部電気電子工学科, 教授
研究期間 (年度)	2006
概要	次世代超高集積回路製造に向けて、低温下でナノから数ミクロンオーダーの厚さの高機能薄膜が成長が行える大口径ウエハ対応高密度中性原子発生装置を開発することを目的とする。