自己組織化ナノ表面を活用した高品質SiC基板の実用化研究

研究課題

研究代表者	田中悟北海道大学
研究期間 (年度)	2006
概要	次世代電子デバイス材料としてもっとも注目されているSiC半導体の表面に着目し,特定オフ角度の基板表面に現れる非常に周期性の高い自己組織化ナノ表面構造とデバイス特性の相関を明らかにすることを目的とする。SiC傾斜基板(オフ基板)の高温ガスアニールにより発現する表面構造・物性の定量化を行う。特に基板オフ角度との相関を調べ,自己組織化ナノ表面の周期性の制御を行う。