研究代表者 |
中込 真二 石巻専修大学, 理工学部
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| 研究期間 (年度) |
2005
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| 概要 | 本研究の目的は、簡単なプロセスで製作可能で、比較的大きな出力変化が得られ、室温で動作可能な水素ガスセンサデバイスを試作し、その特性を詳細に調べ、その実用化に近づけることである。p+基板の上にn形エピ層をもつ Si基板を用い、その後は、リフトオフ・プロセスのみを使った電極の形成によって、ソース、ドレインのオーミック電極と、触媒金属からなるショットキーゲート電極を設けた構造のデバイスを試作する。このデバイスのソース・ドレイン間の電流―電圧特性は、雰囲気の水素濃度によって変化する。混合調整制御した雰囲気ガス中における、試作したデバイスの特性評価を通じて、センサとしての性能を明らかにする。
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