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三端子型水素ガスセンサデバイスの研究

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 シーズ発掘試験

研究代表者

中込 真二  石巻専修大学, 理工学部

研究期間 (年度) 2005
概要本研究の目的は、簡単なプロセスで製作可能で、比較的大きな出力変化が得られ、室温で動作可能な水素ガスセンサデバイスを試作し、その特性を詳細に調べ、その実用化に近づけることである。p+基板の上にn形エピ層をもつ Si基板を用い、その後は、リフトオフ・プロセスのみを使った電極の形成によって、ソース、ドレインのオーミック電極と、触媒金属からなるショットキーゲート電極を設けた構造のデバイスを試作する。このデバイスのソース・ドレイン間の電流―電圧特性は、雰囲気の水素濃度によって変化する。混合調整制御した雰囲気ガス中における、試作したデバイスの特性評価を通じて、センサとしての性能を明らかにする。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日 : 2016-04-26  

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