CVD法による高信頼性ナノ配線プロセス技術の開発

研究課題

研究代表者	根石浩司東北大学, 大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻, 助手
研究期間 (年度)	2006
概要	本試験では、配線バリア層を自己形成する Cu-Mn 合金に着目し、密着性が高く、CVD による高い段差成膜性を有するLSI 銅配線形成プロセスを開発することを目的とする。具体的には、CVDプロセス条件の検討、熱処理後の不純物元素の分布、評価および段差皮膜性の評価を行う。