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CVD法による高信頼性ナノ配線プロセス技術の開発

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 シーズ発掘試験

研究代表者

根石 浩司  東北大学, 大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻, 助手

研究期間 (年度) 2006
概要本試験では、配線バリア層を自己形成する Cu-Mn 合金に着目し、密着性が高く、CVD による高い段差成膜性を有するLSI 銅配線形成プロセスを開発することを目的とする。具体的には、CVDプロセス条件の検討、熱処理後の不純物元素の分布、評価および段差皮膜性の評価を行う。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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