ZnO単結晶基板と格子整合する青色発光用「高品質InGaN」の薄膜成長技術の確立

研究課題

研究代表者	松岡隆志東北大学, 金属材料研究所, 教授
研究期間 (年度)	2006
概要	本試験では、ZnO 単結晶基板上への InGaN 薄膜の格子整合成長技術の確立および InGaN 結晶の高品質化を目指し、高性能青色発光素子をはじめとして、窒化物半導体による高性能素子の開発を目的とする。ZnO 単結晶基板の前処理法および基板保護法を確立し、ZnO 単結晶基板上へのInGaN 成長の条件検討と評価を行う。