研究代表者 |
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| 研究期間 (年度) |
2005
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| 概要 | カーボンナノチューブ(CNT)は次世代の基盤材料として極めて注目される。CNTの実用に際しては高度な制御技術(例えば、CNTの成長位置や密度、長さ、直径、配向性、カイラルティーなど)が次世代基盤材料への応用のキーポイントとなる。特にCNTの化学的気相成長法(CVD)は、従来の半導体プロセスと整合性が良く、今後の応用展開として最も有力なCNT作成法と考えられる。しかしながら、CVD法によるCNTの配向成長制御技術は十分に確立されたとは言い難く、しかもCNTの垂直配向成長が可能な作製基板も限定されている。 本課題では、これまで垂直配向型CNT作製のために限定されていた基板材料の制約を取り除くものである。すなわち、これまでのガラスもしくはシリコンに限定されていた基板材料以外の様々な基板上に垂直配向型CNTを作製することを目的とする。また、垂直配向型CNT作製における直径サイズやパターン二ング制御も行う。
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