省エネデバイス用8インチ超大口径GaNウエハ

研究課題

体系的番号	JPMJAL1201
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJAL1201
研究代表者	森勇介大阪大学, 大学院工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2012 – 2019
概要	パワーデバイスおよびLED用基板として期待されているGaN基板の結晶欠陥低減と大口径化を推進しています。Naフラックス法およびシードポイント法を用いて、100個/cm2の転位欠陥密度と6インチ径のGaN基板の作製に成功。Si基板と同等の品質を有する8インチ超GaN基板の低コスト作製技術の開発を目指します。
研究領域	革新的省・創エネルギーシステム・デバイス

報告書

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