研究代表者 |
岩井 洋 東京工業大学, フロンティア研究機構, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2011
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| 概要 | III-V族基板は本質的に高い移動度を有する基板であるため、高性能性と低消費電力性を両立する次世代の集積回路用のトランジスタとして期待できる。しかし、絶縁膜と基板の界面特性が劣悪であることが原因で、高い性能を引き出すことが困難である。本研究の目的は界面特性の改善を阻害する原因を特定し、良質な界面を得る材料とプロセスを実験的に探索することである。この目的を短期間で達成するために、III-V族基板の結晶成長に関する高い技術を有する台湾交通大学と絶縁膜の成膜プロセスに強い東京工業大学が密接に交流を行うこととした。
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| 研究領域 | ナノデバイス |
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