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Au-in-Ga2O3 エンドウ豆型ナノデバイスの作製とプラズモニクスヘの展開

研究課題

国際的な科学技術共同研究などの推進 国際科学技術協力基盤整備事業 海外の科学技術情報の収集 台湾

研究代表者

鈴木 基史  京都大学, 大学院工学研究科, 准教授

研究期間 (年度) 2009 – 2012
概要本共同研究では、台湾チームが世界に先駆けて開発に成功したAu-Ga2O3コアシェルナノワイアや、エンドウ豆型ナノワイアをkey materialとし、両者が共同で基礎物性の解明、構造・形態制御を行う。これらの知見を元に、最終段階では、新規ナノ電子デバイス、ナノバイオデバイスを提案することを目指した。具体的には、台湾側で、フォトニクス、光エレクトロニクス、プラズモニクス等の応用に適したAu-Ga2O3ナノワイアの構造制御を検討することとした。一方日本側では台湾側で開発したナノワイアをマイクロエレクトロニクスと集積化するために、日本側が有する高温斜め蒸着技術(HT-GLAD)による新しいAu-Ga2O3ナノワイアの製造技術を開発することを試みた。これらのナノ材料、ナノ構造を利用し、両者は共同してナノスケールのデバイスの電子物性、光学物性を研究した。最終的には一次元ナノトランジスタや0次元ナノドットバイオセンサなどの電子・光デバイスへの応用を想定した研究において、世界を代表する研究成果を創出するパートナーシップを構築することを目的とした。
研究領域ナノデバイス

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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