新規粉体反応を利用した高輝度GaN粉末蛍光体の開発研究

研究課題

研究代表者	嶋田志郎北海道大学, 大学院工学研究科
研究期間 (年度)	2005
概要	Ga2O3とカーボンの粉末反応で発生するGa2OガスをNH3で窒化する新規GaN結晶成長プロセスに基づき、形状・形態が異なる単結晶、多結晶体GaNを作製するプロセスを確立し、高結晶性で球状の数ミクロン～数十ミクロンサイズのGaN粉末を作製する。このため、GaN粉末結晶の作製プロセス因子(反応因子・成長因子)を明らかにして、これら因子を制御することで、目的とする高結晶性GaN粉末を作製し、優れた発光特性を有する高輝度GaN蛍光粉末を開発する。本技術において、装置が簡単で反応制御も容易なことから、スケールアップが可能となる。従って、この試験研究で得られた研究成果をベースにして、大型装置でのGaN蛍光粉末製造へと展開し、実用化へ向けての見通しを得る。