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新規粉体反応を利用した高輝度GaN粉末蛍光体の開発研究

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 シーズ発掘試験

研究代表者

嶋田 志郎  北海道大学, 大学院工学研究科

研究期間 (年度) 2005
概要Ga2O3とカーボンの粉末反応で発生するGa2OガスをNH3で窒化する新規GaN結晶成長プロセスに基づき、形状・形態が異なる単結晶、多結晶体GaNを作製するプロセスを確立し、高結晶性で球状の数ミクロン~数十ミクロンサイズのGaN粉末を作製する。このため、GaN粉末結晶の作製プロセス因子(反応因子・成長因子)を明らかにして、これら因子を制御することで、目的とする高結晶性GaN粉末を作製し、優れた発光特性を有する高輝度GaN蛍光粉末を開発する。本技術において、装置が簡単で反応制御も容易なことから、スケールアップが可能となる。従って、この試験研究で得られた研究成果をベースにして、大型装置でのGaN蛍光粉末製造へと展開し、実用化へ向けての見通しを得る。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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