低温エピ成長による原子レベルで平坦で高品質な極薄金属窒素化膜の開発

研究課題

研究代表者	柳沢英人北見工業大学, 工学部
研究期間 (年度)	2005
概要	次世代の超高密度Si-LSI実現に必要な極微細拡散バリアの開発を目的とし、Si上に高融点金属窒化物(ZrN、TiN、及びTaN)の極薄膜を形成し得る「低温エピタキシャル成長プロセス技術」を創出する。