インクジェットプロセスに適用可能な新規有機薄膜トランジスタの開発
研究代表者 |
小川 智 岩手大学, 工学部, 助教授
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研究期間 (年度) |
2006
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概要 | 近年、アモルファス状態での有機半導体を用いた有機TFT(薄膜トランジスタ)でのキャリアー移動度が、1 cm2/Vsを超えるとの報告が国内外で相次ぎ、有機半導体を用いた電子デバイスの実現の可能性が近づいた。しかしながら、その製造プロセスは、すべて真空蒸着(ドライプロセス)であり、汎用性に乏しいのが現状である。本応募課題の目的は、インクジェットプロセス(ウエットプロセス)に適用可能な、すなわち溶剤に可溶な新規有機半導体を設計、合成し、そのデバイス特性を評価し、電子デバイスの製造コストを大幅に削減することにより、汎用デバイスとしての実用化を図ろうとするものである。
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