45nm世代IC多層配線におけるバリア層自己形成プロセスの開発

研究課題

研究責任者	小池淳一東北大学
研究期間 (年度)	2004 – 2006
概要	先端LSIの新規要素技術としてCu-Mn合金を用いたバリア層自己形成プロセス技術を開発した。配線抵抗は純Cuと同等であり、絶縁層との界面に厚さが2nmのバリア層を安定して形成できる。この技術を32nm世代のLSI多層配線に適用し、優れた信頼性と性能を有することを確認した。