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45nm世代IC多層配線におけるバリア層自己形成プロセスの開発

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 育成研究

研究責任者 小池 淳一  東北大学
研究期間 (年度) 2004 – 2006
概要先端LSIの新規要素技術としてCu-Mn合金を用いたバリア層自己形成プロセス技術を開発した。配線抵抗は純Cuと同等であり、絶縁層との界面に厚さが2nmのバリア層を安定して形成できる。この技術を32nm世代のLSI多層配線に適用し、優れた信頼性と性能を有することを確認した。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2015-09-30   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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