| 研究責任者 |
南川 俊治 石川県工業試験場, 機械金属部, 部長
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| 研究期間 (年度) |
2001 – 2004
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| 概要 | 各種デバイスの保護膜として、低温形成の窒化シリコン膜が使われているが何れも製造時の温度が400°C以上と高い。本研究は、基盤温度の制御性を改善して、デバイスの電気特性を劣化させない120°C以下の温度で良質の窒化シリコン膜が形成できるCVD装置開発を目指すものである。この装置を用いることにより、強誘電体メモリの特性を損なうことなく、低容量からの応用可能なメモリ混載LSI製造への適用が期待できる。
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