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低温触媒CVD装置の開発

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 育成研究

研究責任者 石川県工業試験場, 機械金属部, 部長
研究期間 (年度) 2001 – 2004
概要各種デバイスの保護膜として、低温形成の窒化シリコン膜が使われているが何れも製造時の温度が400°C以上と高い。本研究は、基盤温度の制御性を改善して、デバイスの電気特性を劣化させない120°C以下の温度で良質の窒化シリコン膜が形成できるCVD装置開発を目指すものである。この装置を用いることにより、強誘電体メモリの特性を損なうことなく、低容量からの応用可能なメモリ混載LSI製造への適用が期待できる。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2015-09-30   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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