鉄シリサイド光センサ

研究課題

研究代表者	牧田雄之助産業技術総合研究所, 主任研究官
研究期間 (年度)	2000 – (非公開)
概要	鉄とシリコンの化合物であるβ-FeSi2半導体薄膜を用いた光センサの研究開発を行う。β-FeSi2半導体光センサは、1.5μm帯で高感度、高SN比、広いダイナミック特性を持ち、かつ優れた耐候性を有する。本センサはSi基板との一体化が容易であり、光ファイバ通信を始めとした広範囲な利用が期待できる。