SoC用構成可変・不揮発メモリマクロの開発に関する研究

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開研究成果展開事業平成20年度までに募集を終了した事業革新技術開発研究事業

研究期間 (年度)	2005 – (非公開)
概要	ホットキャリア効果によるトランジスタ特性変動を記憶保持原理として利用し、標準化された安価なLSI製造工程で不揮発メモリを実現可能とする新規メモリ(PermSRAMTM)を開発する。技術開発の目標は、原理実証の終わった基本不揮発メモリセル技術を用いて、これを取り囲む周辺回路を設計し、競争力のある動作スペックをもつ不揮発メモリマクロの実現である。これにより、セキュリティ情報格納、プログラムメモリ格納、製造後トリミングデータ格納を可能とし、ロジックLSIに不揮発記憶の機能を搭載させたいという広範な市場ニーズの要求に応えることができる。

研究期間 (年度)

2005 – (非公開)

概要

ホットキャリア効果によるトランジスタ特性変動を記憶保持原理として利用し、標準化された安価なLSI製造工程で不揮発メモリを実現可能とする新規メモリ(PermSRAMTM)を開発する。技術開発の目標は、原理実証の終わった基本不揮発メモリセル技術を用いて、これを取り囲む周辺回路を設計し、競争力のある動作スペックをもつ不揮発メモリマクロの実現である。これにより、セキュリティ情報格納、プログラムメモリ格納、製造後トリミングデータ格納を可能とし、ロジックLSIに不揮発記憶の機能を搭載させたいという広範な市場ニーズの要求に応えることができる。