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2012 年度 終了報告書

スピン量子十字素子を用いた新規な高性能不揮発性メモリの創製

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

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体系的番号 JPMJPR0961
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR0961

研究代表者

海住 英生  北海道大学, 電子科学研究所, 助教

研究期間 (年度) 2009 – 2012
研究領域革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2020-07-20   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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