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2012 年度 事後評価書

ナノデバイスのピコ秒物理の解析による揺らぎ最小化設計指針の開発

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST

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体系的番号 JPMJCR0941
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJCR0941

研究代表者

大毛利 健治  早稲田大学, ナノ理工学研究機構, 准教授

研究期間 (年度) 2009 – 2012
研究領域次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2020-07-20   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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