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2012 年度 事後評価書
ナノデバイスのピコ秒物理の解析による揺らぎ最小化設計指針の開発
研究課題
戦略的な研究開発の推進
戦略的創造研究推進事業
CREST
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体系的番号
JPMJCR0941
DOI
https://doi.org/10.52926/JPMJCR0941
研究代表者
大毛利 健治
早稲田大学, ナノ理工学研究機構, 准教授
研究期間 (年度)
2009 – 2012
研究領域
次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究