2014 年度終了報告書

SiC MOSFETの抵抗損失低減のための界面制御技術

研究課題

戦略的な研究開発の推進戦略的創造研究推進事業さきがけ

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体系的番号	JPMJPR11C3
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJPR11C3
研究代表者	喜多浩之東京大学, 大学院工学系研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2011 – 2014
研究領域	エネルギー高効率利用と相界面