2017 年度年次報告書

高い安定性を有するGaN-MOSトランジスタスイッチ

研究課題

研究代表者	橋詰保北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授
研究期間 (年度)	2015 – 2018
研究領域	先端材料