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2012 年度 終了報告書

高性能薄膜トランジスタおよびそれを用いた不揮発メモリ

研究課題

国際的な科学技術共同研究などの推進 国際科学技術協力基盤整備事業 海外の科学技術情報の収集 台湾

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研究代表者

金山 敏彦  独立行政法人産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 研究センター長

研究期間 (年度) 2009 – 2012
研究領域ナノデバイス

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2026-01-14   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2026-01-15  

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