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極限ゲート構造によるシステムディスプレイの超低消費電力化

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST

体系的番号 JPMJCR05B2
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJCR05B2

研究代表者

小林 光  大阪大学, 産業科学研究所, 教授

研究期間 (年度) 2005 – 2010
概要シリコン低温酸化法「硝酸酸化法」を活用して、ディスプレイの駆動に用いる薄膜トランジスタ(TFT)を超低消費電力化します。新酸化法で形成する酸化膜は、従来法に比べて格段に良質であるため薄膜化が可能で、TFTの消費電力を従来の1/25以下にすることが可能です。また、極限ゲート構造TFTの創製とこれを用いた新回路技術・アーキテクチャーの開発により、システムディスプレーの消費電力をさらに1/10以下にすることにより、合わせて1/250以下に低減します。
研究領域情報システムの超低消費電力化を目指した技術革新と統合化技術

報告書

(2件)
  • 2010 事後評価書 ( PDF )   終了報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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