極限ゲート構造によるシステムディスプレイの超低消費電力化
| 体系的番号 |
JPMJCR05B2 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR05B2 |
研究代表者 |
小林 光 大阪大学, 産業科学研究所, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2005 – 2010
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| 概要 | シリコン低温酸化法「硝酸酸化法」を活用して、ディスプレイの駆動に用いる薄膜トランジスタ(TFT)を超低消費電力化します。新酸化法で形成する酸化膜は、従来法に比べて格段に良質であるため薄膜化が可能で、TFTの消費電力を従来の1/25以下にすることが可能です。また、極限ゲート構造TFTの創製とこれを用いた新回路技術・アーキテクチャーの開発により、システムディスプレーの消費電力をさらに1/10以下にすることにより、合わせて1/250以下に低減します。
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| 研究領域 | 情報システムの超低消費電力化を目指した技術革新と統合化技術 |
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