温度安定性に優れた光通信用InN半導体レーザの研究
| 体系的番号 |
JPMJCR06J4 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR06J4 |
研究代表者 |
松岡 隆志 東北大学, 金属材料研究所, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2011
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| 概要 | 高度情報化社会の発展のため、通信システムの低価格化と大容量化が望まれています。このような状況の中で、温度安定性に優れた光源が期待されています。我々は、青色発光ダイオード用材料である窒化物半導体の内のInNが赤外域で発光し、その効率と波長の温度安定性が優れていることを、見いだしました。本研究では、InNを発光材料とする通信用レーザを実現します。このレーザは、砒素や燐を含まない低環境負荷素子という特徴も有します。
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| 研究領域 | 新機能創成に向けた光・光量子科学技術 |
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