| 体系的番号 |
JPMJCR02H4 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR02H4 |
研究代表者 |
鯉沼 秀臣 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2002 – 2007
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| 概要 | 不純物のドープという欠陥の誘起を伴う方法に代わり、電界効果による電荷制御を従来の半導体を超える各種材料(ワイドギャップ酸化物、π共役有機固体)に拡張し、構成層の厚みや幅、表面・界面、チャネルのナノサイズ制御による新エネルギー利用システム(太陽電池、透明トランジスタ、発光素子、光触媒)を構築します。この際、世界最先端の集積化ナノ合成・評価システムを設計・開発し、研究にスピードと革新性をもたらします。
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| 研究領域 | エネルギーの高度利用に向けたナノ構造材料・システムの創製 |
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