| 体系的番号 |
JPMJCR02B9 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR02B9 |
研究代表者 |
古屋 一仁 東京工業大学, 大学院理工学研究科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2002 – 2007
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| 概要 | 半導体、金属そして絶縁体と大きく異なる物質を、立体的かつナノメートルサイズで組み合わせた“3次元超ヘテロナノ構造”を創製し、ヘテロナノ構造で顕著になるバリスティック走行による超高速性と、超ヘテロナノ構造の特質である極小化による低消費電力性を併せ持つ、新しいデバイスを実現します。さらには、超ヘテロナノ構造において発現される電子波面による情報処理機能およびテラヘルツ帯での増幅機能をデバイ スに応用することを探求します。
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| 研究領域 | 超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製 |
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