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金属ナノギャップ電極による抵抗スイッチ効果の発生メカニズムの解明

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR06N3
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR06N3

研究代表者

内藤 泰久  産業技術総合研究所, ナノテクノロジー研究部門, 研究員

研究期間 (年度) 2006 – 2009
概要金属のナノギャップ構造を用いた可逆性のある抵抗スイッチ現象は、素子に印加する電圧の大きさに伴って抵抗変化を生じる、ナノギャップ幅が10nm付近以下の電極でのみ発現するナノスケール特有の現象です。また、不揮発性を有し、不揮発メモリー・ストレージ装置への応用が期待できます。本研究では、このスイッチ現象の発生メカニズムの解明を目的としています。
研究領域ナノ製造技術の探索と展開

報告書

(1件)
  • 2009 終了報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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