金属ナノギャップ電極による抵抗スイッチ効果の発生メカニズムの解明
| 体系的番号 |
JPMJPR06N3 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR06N3 |
研究代表者 |
内藤 泰久 産業技術総合研究所, ナノテクノロジー研究部門, 研究員
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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| 概要 | 金属のナノギャップ構造を用いた可逆性のある抵抗スイッチ現象は、素子に印加する電圧の大きさに伴って抵抗変化を生じる、ナノギャップ幅が10nm付近以下の電極でのみ発現するナノスケール特有の現象です。また、不揮発性を有し、不揮発メモリー・ストレージ装置への応用が期待できます。本研究では、このスイッチ現象の発生メカニズムの解明を目的としています。
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| 研究領域 | ナノ製造技術の探索と展開 |
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