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2009 年度 終了報告書
金属ナノギャップ電極による抵抗スイッチ効果の発生メカニズムの解明
研究課題
戦略的な研究開発の推進
戦略的創造研究推進事業
さきがけ
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体系的課題番号
JPMJPR06N3
DOI
https://doi.org/10.52926/JPMJPR06N3
研究代表者
内藤 泰久
産業技術総合研究所, ナノテクノロジー研究部門, 研究員
研究期間 (年度)
2006 – 2009
研究領域
ナノ製造技術の探索と展開