| 体系的番号 |
JPMJPR0962 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0962 |
研究代表者 |
組頭 広志 東京大学, 大学院工学系研究科, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2012
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| 概要 | 不動態を形成する金属と酸化物との界面酸化還元反応により自然形成されるナノキャパシタ構造を利用して、高性能と低環境負荷が両立した抵抗変化型不揮発性メモリ(ReRAM)の実現を目指します。そのために、本研究では酸化物エピタキシー技術と放射光による界面解析技術を駆使して、高クラーク数元素のみで構成されるナノキャパシタ構造ReRAMの特性制御法・作製プロセス法を確立し、環境負荷の低い不揮発性メモリに向けた開発を行います。
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| 研究領域 | 革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス |
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