Si/III-V族半導体超ヘテロ界面の機能化と低電力スイッチ素子の開発
| 体系的番号 |
JPMJPR0964 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0964 |
研究代表者 |
冨岡 克広 北海道大学, 大学院情報科学研究科, 博士研究員
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2012
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| 概要 | 従来のMOSFETの原理で超えることができない理論限界の壁を、新しい動作原理のスイッチ素子で乗り越えます。具体的には、シリコンとIII-V族化合物半導体をナノスケールの結晶成長技術で接合し、欠陥のない理想的な接合界面(超ヘテロ界面)を作製します。そして、その界面で生じるバンド不連続性を利用し、低電力で駆動するスイッチ素子の開発を行います。
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| 研究領域 | 革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス |
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