III族酸化物／窒化物半導体複合構造の界面制御とデバイス応用
| 体系的番号 |
JPMJPR096A |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR096A |
研究代表者 |
東脇 正高 情報通信研究機構, 新世代ネットワーク研究センター, 主任研究員
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 概要 | 近い将来、窒化ガリウム(GaN)はシリコンと並び半導体電子デバイス材料の中核を担うと予想されます。今後GaNトランジスタを新たな応用分野に利用拡大していくためには、高品質な絶縁膜が必須であります。本研究ではIII族酸化物をその有力候補として着目し、超高真空中での連続製膜により外的な要因を排除した理想的な酸化物/窒化物複合構造を作製し、系統的な解析により、GaNトランジスタの性能向上ならびに新展開を目指します。
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| 研究領域 | 革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス |
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