| 体系的番号 |
JPMJCR09E4 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR09E4 |
研究代表者 |
橋詰 保 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2014
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| 概要 | 省エネルギーの核となる「窒化ガリウム(GaN)インバータ」の基盤技術を確立します。そのため、結晶欠陥起因の電子準位とトランジスタ動作信頼性との相関を明らかにし、異種(ヘテロ)接合制御と新チャネル構造により、シリコン素子とは異なる新しい横型トランジスタを開発します。さらに、インバータの設計/シミュレーションと実験的評価によりGaNインバータとその集積化の切り口を探求します。
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| 研究領域 | 二酸化炭素排出抑制に資する革新的技術の創出 |
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