電界による磁化スイッチングの実現とナノスケールの磁気メモリの書込み手法への応用
| 体系的番号 |
JPMJPR10H5 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR10H5 |
研究代表者 |
千葉 大地 京都大学, 化学研究所, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2013
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| 概要 | ハードディスクや研究開発が進む磁気メモリでは、微小磁石の磁化方向をスイッチさせて情報を記録しています。記録密度の向上に伴い、より省エネルギーな書込手法が求められています。本研究では、ナノ磁石に電界を印加することで磁化方向をダイレクトに制御し、外部からの磁界や電流の印加を必要としない、新たな磁化スイッチング手法を目指します。半導体と磁性体の技術を融合し、これまでにないアイデアを提案・実証していきます。
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| 研究領域 | ナノシステムと機能創発 |
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