高品質SiC単結晶薄膜の革新的低温・高速成長技術の創製
| 体系的番号 |
JPMJAL1310 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJAL1310 |
研究代表者 |
松本 祐司 東北大学, 工学研究科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2013 – 2018
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| 概要 | 本研究では、フラックスと呼ばれる結晶成長の触媒と、気相原料供給を用いた常圧液相エピタキシー法を開発し、多形を制御した4H-SiC単結晶薄膜を低温で高速成長できる技術を確立します。よって、SiC単結晶薄膜が既存のSiを代替することにより、低損失の電力変換機器の提供とスマートグリッドによるエネルギー高効率利用の実現を加速化します。
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| 研究領域 | 革新的省・創エネルギー化学プロセス |
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