2層グラフェンのギャップ内準位解析と複層化界面制御による準位低減

研究課題

体系的番号	JPMJPR1425
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJPR1425
研究代表者	長汐晃輔東京大学, 大学院工学系研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2014 – 2017
概要	既存のSiO2/Si系における界面準位との比較をもとに、層状物質系、特に2層グラフェンでのギャップ内準位の起源という本質的な問題に様々な解析手法を適応し取り組みます。様々なゲートスタック構造における系統的な比較をもとに界面準位の起源を明確にし、低減への指針を明確にします。最終的に、室温で高移動度と高Ion/Ioffを両立させることを研究目標とします。
研究領域	素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成

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