CMOSセンサ技術とMEMS技術を融合した高精細イオンイメージセンサ開発

研究課題

体系的番号	JPMJTS1515
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJTS1515
企業責任者	水野誠一郎浜松ホトニクス株式会社
研究責任者	澤田和明豊橋技術科学大学, 電気・電子情報工学系, 教授
研究期間 (年度)	2015 – 2020
概要	微小領域のイオンの挙動を可視化するため、CMOS技術とMEMS技術によりナノレベルの空間解像度とナノモーラレベルの検出感度を持つイオンイメージセンサ製作技術を確立します。ナノ材料や生体から放出されるイオンが、センサ表面に達するまでに横方向に拡散するのを防ぐためのインターフェースの開発を進めます。さらにイオンイメージセンサの信頼性の保証、およびそのための出荷検査の基準を検討し事業化への検討課題を明確にします。
研究領域	ナノレベルの分解能と識別感度をもつイオンセンサの実現に向けた技術開発