| 体系的番号 |
JPMJCR1871 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR1871 |
研究代表者 |
大野 圭司 国立研究開発法人理化学研究所, 開拓研究本部, 専任研究員
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| 研究期間 (年度) |
2018 – 2023
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| 概要 | シリコン中の”深い不純物”には室温においても強く束縛された電子があります。私たちはその電子スピンを用い、室温で動作する量子ビットを開発します。”トンネル電界効果トランジスタ”と呼ばれる構造に深い不純物を導入することで、深い不純物の電子をトランジスタ電極に取り出し、量子ビット状態をトランジスタの電気特性として読み出します。量子ビットの急峻な磁場応答を利用した高感度磁気センサーを開発します。
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| 研究領域 | 量子状態の高度な制御に基づく革新的量子技術基盤の創出 |
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