トポロジカル表面状態を用いるスピン軌道トルク磁気メモリの創製

研究課題

体系的番号	JPMJCR18T5
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR18T5
研究代表者	PHAM NAM・HAI 東京工業大学, 工学院, 准教授
研究期間 (年度)	2018 – 2023
概要	本研究では、産業連携を前提とし、トポロジカル材料を磁気メモリへ応用する研究開発を行います。そのために、分子線エピキタシー法に加えて、量産性に優れたスパッター法によるBiSbの製膜技術および垂直磁気異方性を示す磁性体との接合の作製技術を確立すること、超高速、超低消費電力のスピン軌道トルク磁化反転を実証すること、磁性細線におけるカイラル磁壁・スキルミオンの発生、駆動、検出の基盤技術を実証します。
研究領域	トポロジカル材料科学に基づく革新的機能を有する材料・デバイスの創出