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ナノ構造制御と計算科学を融合した傾斜材料開発とスピンデバイス応用

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST

体系的番号 JPMJCR19J4
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJCR19J4

研究代表者

能崎 幸雄  慶應義塾大学, 理工学部, 教授

研究期間 (年度) 2019 – 2024
概要従来のスピン流生成理論は希少物質固有のスピン依存散乱効果に頼っており、材料設計の自由度が少なく、デバイス開発を制約していました。本研究では、設計自由度の高い傾斜材料を用いた従来と異なる原理によるスピン流生成技術を開発します。スピン機能材料開発において不均一スピン依存散乱という新しい制御軸を与えることにより、物質を問わずにスピン流を生成できることを利用し、実用可能なスピンデバイス動作を実証します。
研究領域実験と理論・計算・データ科学を融合した材料開発の革新

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2019-12-25   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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