不飽和結合への電子注入に基づく高度官能基化法の創出

研究課題

体系的番号	JPMJCR19R4
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR19R4
研究代表者	依光英樹京都大学, 大学院理学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2019 – 2024
概要	適切な求電子剤の選択により不飽和結合への電子注入を能動的に制御し、不飽和化合物へ様々な官能基を一挙に導入する革新的な反応技術を創出します。結晶構造解析や計算化学を駆使することで中間体の性質や反応機構を解明し、新反応の開発に繋げます。電解還元による電子注入を利用した斬新かつ有用な不飽和結合の多重官能基化法も確立し、電気エネルギーを活用した革新的反応技術を提供します。
研究領域	新たな生産プロセス構築のための電子やイオン等の能動的制御による革新的反応技術の創出