| 体系的番号 |
JPMJPR20BA |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR20BA |
研究代表者 |
山田 道洋 大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 特任助教
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| 研究期間 (年度) |
2020 – 2023
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| 概要 | 本研究では，原子層制御した強磁性体/半導体界面を有する縦型半導体スピン素子構造を実現することで，室温動作高性能スピン素子の創成を目指します．半導体スピン素子の飛躍的性能向上に向けて，原子レベルで急峻な強磁性体/半導体エピタキシャル界面を実現すると共に，縦型スピン素子中の半導体中間層への原子層ドーピング技術の確立に取り組みます．これにより三次元集積可能な超低消費電力素子の社会実装への道を開拓します．
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| 研究領域 | 情報担体とその集積のための材料・デバイス・システム |
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