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局所原子配列の熱的制御による酸化物相変化メモリ開発

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR21A6
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR21A6

研究代表者

河底 秀幸  東北大学, 大学院理学研究科, 助教

研究期間 (年度) 2021 – 2024
概要現在、ストレージクラスメモリとして注目される相変化メモリでは、カルゴゲナイド物質の結晶相・アモルファス相の熱的な可逆制御を原理としています。そこで本研究では、層状酸化物における局所原子配列を制御し、秩序相・無秩序相・直方晶相の熱的な可逆制御を実現します。さらに、多値記憶可能な酸化物相変化メモリとして室温・大気下で動作させることで、相変化メモリ材料におけるパラダイムシフトの実現をめざします。
研究領域原子・分子の自在配列と特性・機能

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2022-05-09   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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