局所原子配列の熱的制御による酸化物相変化メモリ開発
| 体系的番号 |
JPMJPR21A6 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR21A6 |
研究代表者 |
河底 秀幸 東北大学, 大学院理学研究科, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2021 – 2024
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| 概要 | 現在、ストレージクラスメモリとして注目される相変化メモリでは、カルゴゲナイド物質の結晶相・アモルファス相の熱的な可逆制御を原理としています。そこで本研究では、層状酸化物における局所原子配列を制御し、秩序相・無秩序相・直方晶相の熱的な可逆制御を実現します。さらに、多値記憶可能な酸化物相変化メモリとして室温・大気下で動作させることで、相変化メモリ材料におけるパラダイムシフトの実現をめざします。
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| 研究領域 | 原子・分子の自在配列と特性・機能 |
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