二次元配列構造における局所電子密度分布および物性解析手法の開発
体系的番号 |
JPMJPR22AB |
DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR22AB |
研究代表者 |
森川 大輔 東北大学, 多元物質科学研究所, 助教
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研究期間 (年度) |
2022 – 2025
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概要 | 本研究では、電子ナノビームを用いた局所電子密度分布解析と第一原理計算との協奏により、これまでに類のない局所領域の物性解析手法を開発します。特に原子の配列が物性を支配している二次元配列構造の解析へと応用し、ナノ領域の電子密度分布やバンド構造等の唯一無二の情報が取得可能な日本発の技術となることを目指します。
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研究領域 | 原子・分子の自在配列と特性・機能 |