二次元物質における超高密度キャリア制御

研究課題

体系的番号	JPMJCR23A4
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR23A4
研究代表者	竹延大志名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2023 – 2028
概要	遷移金属カルコゲン化合物を中心に二次元物質の単層膜および面内・積層ヘテロ構造における高密度なキャリアの局所的・タイプ選択的ドーピング技術を確立します。本技術を基盤として、二次元物質における金属/半導体接合およびPN接合に関する学理の構築と、界面制御技術・学理に基づく機能性素子の実現を目指します。
研究領域	ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術