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二次元物質における超高密度キャリア制御

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST

体系的番号 JPMJCR23A4
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJCR23A4

研究代表者

竹延 大志  名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授

研究期間 (年度) 2023 – 2028
概要遷移金属カルコゲン化合物を中心に二次元物質の単層膜および面内・積層ヘテロ構造における高密度なキャリアの局所的・タイプ選択的ドーピング技術を確立します。本技術を基盤として、二次元物質における金属/半導体接合およびPN接合に関する学理の構築と、界面制御技術・学理に基づく機能性素子の実現を目指します。
研究領域ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2023-12-27   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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