三次元集積メモリデバイスに向けたナノシート酸化物半導体

研究課題

体系的番号	JPMJCR23A3
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR23A3
研究代表者	小林正治東京大学, 大学院工学系研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2023 – 2028
概要	本研究では、ナノシート酸化物半導体の原子層堆積法による成膜技術の確立と、ナノシート酸化物半導体デバイス物理および界面物性の解明、三次元集積メモリデバイスのデバイス実証を目指して、「材料・プロセス」、「デバイス設計・実証」、「物性評価・解析」、「理論計算」まで一貫して、酸化物半導体とナノエレクトロニクスの最前線で活躍する研究者が集結して遂行するものである。
研究領域	ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術

主な研究成果
(5件)

すべて 2024

すべて雑誌論文 (5件) (査読あり 5件、オープンアクセス 5件)

[雑誌論文] High-Field Transport and Statistical Variability of Nanosheet Oxide Semiconductor FETs With Channel Length Scaling2024
- 著者名
  Xingyu Huang, Kaito Hikake, Sung-Hun Kim, Kota Sakai, Zhuo Li, Tomoko Mizutani, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Yukiharu Uraoka, and Masaharu Kobayashi
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Intrinsic field-effect mobility in thin-film transistor with polycrystalline In2O3 channel based on transfer length method2024
- 著者名
  Takanori Takahashi and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 18 ページ: 014001
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Oxide-based 3D-integrated memory devices2024
- 著者名
  Masaharu Kobayashi
- 雑誌名
  
  JSAP Review
  
  ページ: 250404
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Structural and electronic properties of interstitial oxygen defect in amorphous indium gallium oxide (IGO) semiconductors: a theoretical study2024
- 著者名
  Chitra Pandy and Masaharu Kobayashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 64
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Nanosheet oxide semiconductor FETs with ALD InZnOx compared to InGaOx2024
- 著者名
  Sung-hun Kim, Kaito Hikake, Zhuo Li, Yuki Itoya, Kota Sakai, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, and Masaharu Kobayashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 64 ページ: 036504
- 査読あり / オープンアクセス

三次元集積メモリデバイスに向けたナノシート酸化物半導体

研究代表者

小林 正治 東京大学, 大学院工学系研究科, 准教授

主な研究成果

[雑誌論文] High-Field Transport and Statistical Variability of Nanosheet Oxide Semiconductor FETs With Channel Length Scaling2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Intrinsic field-effect mobility in thin-film transistor with polycrystalline In2O3 channel based on transfer length method2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Oxide-based 3D-integrated memory devices2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Structural and electronic properties of interstitial oxygen defect in amorphous indium gallium oxide (IGO) semiconductors: a theoretical study2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Nanosheet oxide semiconductor FETs with ALD InZnOx compared to InGaOx2024

著者名

雑誌名

小林正治東京大学, 大学院工学系研究科, 准教授