三次元集積メモリデバイスに向けたナノシート酸化物半導体
| 体系的番号 |
JPMJCR23A3 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR23A3 |
研究代表者 |
小林 正治 東京大学, 大学院工学系研究科, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2023 – 2028
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| 概要 | 本研究では、ナノシート酸化物半導体の原子層堆積法による成膜技術の確立と、ナノシート酸化物半導体デバイス物理および界面物性の解明、三次元集積メモリデバイスのデバイス実証を目指して、「材料・プロセス」、「デバイス設計・実証」、「物性評価・解析」、「理論計算」まで一貫して、酸化物半導体とナノエレクトロニクスの最前線で活躍する研究者が集結して遂行するものである。
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| 研究領域 | ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術 |
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