縦型半導体ナノワイヤアレイ量子集積回路基盤技術の創成
| 体系的番号 |
JPMJCR23A5 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR23A5 |
研究代表者 |
冨岡 克広 北海道大学, 大学院情報科学研究院, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2023 – 2028
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| 概要 | III-V族化合物半導体ナノ材料の選択成長技術とヘテロ接合形成技術を発展させ、異なるキャリア・機能を１つの素子に統合する新型デバイスの実証に立脚した３次元立体集積プロセス・システム・回路技術を構築し，縦型ナノワイヤアレイ立体量子集積回路の学術基盤を確立することで、従来の集積回路技術では原理的に実現できない、消費電力・発熱を極限まで抑制した新たな省電力エレクトロニクスの基礎を築きます。
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| 研究領域 | ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術 |
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