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波長3μm~4μm帯高出力中赤外レーザーによる高効率EUV光源基盤技術の実証(仮称)

研究課題

戦略的な研究開発の推進 経済安全保障重要技術育成プログラム

体系的番号 JPMJKP24M4

研究代表者

安原 亮  核融合科学研究所, 教授

研究期間 (年度) 2025 – 2029 (予定)
概要本研究開発では、「EUV光発生に必要なレーザーパワー密度1010W/cm2以上を可能とする3μm及び4μmのEUV光発生用固体レーザーの開発」を行い、計算結果の妥当性検証と、照射レーザー波長を最適化したEUV光変換効率の最大化を目指します。世界に先駆けた、EUV光源用照射レーザーの中赤外波長選択肢の多様化とEUV光発生効率デザイン精度向上の実現は、20年先を見据えた我が国の産業競争力強化のための重要な礎となるものです。
研究領域「次世代半導体微細加工プロセス技術」に関する研究開発構想(プロジェクト型)

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2025-03-26  

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