| 体系的番号 |
JPMJKP24M1 |
研究代表者 |
緑川 克美 理化学研究所, 光量子工学研究センター, センター長
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| 研究期間 (年度) |
2025 – 2029 (予定)
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| 概要 | 本研究開発では、我が国においてEUV露光に関連する最先端の技術を有する機関と人材を結集し、次世代半導体技術の更なる発展に不可欠とされる革新的基盤技術の研究開発を推進します。具体的には、将来のEUV光源に必要な高出力で高効率な新しいレーザー光源と、大口径で高精度なミラーの加工と成膜技術、そして後工程に必要とされるレーザー微細加工において、これまでの技術を大きく凌駕し将来キーテクノロジーとなり得る革新的技術の確立を目的とします。
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| 研究領域 | 「次世代半導体微細加工プロセス技術」に関する研究開発構想（プロジェクト型） |
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